技术简述

◎ 硅碳CVD炉通过气流鼓吹，使粉体物料悬浮在反

   应容器内，与气相或液相充分进行接触和反应；

◎ 流化床反应器特点:   

    1、气固相接触充分，沉积碳时沉积层均匀；

    2、传热和传质系数高、反应区温度均匀；

    3、单位产能大，设备高效节能；

主要技术参数

◎ 气源：O2、N2、Ar、水蒸气、CO2、CH4、
   C2H2和 C3H6等；

◎ 设计温度：850℃，其他温度可定制；          

◎ 泄放压力：300kPa